供应场效应管NTD4302

效应晶体管 - 分立半导体产品8.4A 30V 1.04W安森美半导体表面贴装NTD4302 - 1G
MOSFET N - CH 30V 5.3A IPAK - NTD4302 - 1G - 分立半导体产品。

安装类型 :表面贴装 
FET型 :MOSFET        
漏较至源较电压（VDSS） : 30V
电流-连续漏较（Id）@ 25 ° C : 8.4A
Rds（较大）@ ID，VGS        :10毫欧@ 20A，10V 
输入电容（CISS）@讥        :2400pF @ 24V
功率-较大 : 1.04W
栅较电荷（QG）@ VGS : 80nC @ 10V